1.ショットキーバリアダイオードとは

ショットキーバリアダイオード（英：Schottky barrier diode：SBD）(※以下ショットキーダイオード)の構造をTINKERCADを使って模式図にしたものを図1に示します。

ショットキーダイオードとは、金属と半導体とのショットキー接合※1によって生じるショットキー障壁※2を利用したダイオードです。

pn接合※3ダイオードに比べると順方向の電圧降下が低く、スイッチング速度が速いという特長を持ちます。

しかし、逆方向漏れ電流が大きく、逆方向耐電圧が低いという欠点もあります。

このダイオードはスイッチング特性が優れているため、トランジスタによる論理回路の高速化、スイッチング電源などの電源回路でよく使われます。

図1：ショットキーダイオード断面概略図

※以下補足です

※1：ショットキー接合（ショットキーせつごう、英: Schottky barrier junction）

金属と半導体の間で整流作用を示す接合の事。名称は発見者のヴァルター・ショットキーによる。同様に整流作用を示すPN接合※3と比較すると、PN接合※3では電流の輸送が主に少数キャリアで行われるのに対し、ショットキー接合では、多数キャリアで行われるため、高速動作に優れるという利点がある。PN接合※3に対してMS接合(金属と半導体の接合、英：Metal Semiconductor junction)と呼ぶこともある。

※2：ショットキー障壁(ショットキーしょうへき、英：Schottky barrier)

半導体と金属を接合させたとき、半導体部分に、金属の仕事関数と半導体の持つ電子親和力（フェルミエネルギー※5）の差が、障壁として現れる場合がある。これをショットキー障壁と呼び整流特性を示す。しかし仕事関数の関係が逆になった場合はオーミック接合※4と言い整流特性は示されません。

※3：pn接合(ピーエヌせつごう、英：PN junction)

半導体中でp型の領域とn型の領域が接している部分を言う。整流性、エレクトロルミネセンス、光起電力効果などの現象を示すほか、接合部には電子や正孔の不足する空乏層が発生する。これらの性質がダイオードやトランジスタを始めとする各種の半導体素子で様々な形で応用されている。

※4：オーミック接合

ＭＳ接合（金属と半導体の接合）で、金属のフェルミ準位※5がｎ型半導体のフェルミ準位※5よりも高くなった場合、ショットキー接合※1からオーミック接合に変わる。オーミック接合になると金属の電子がｎ型半導体に移り接合付近で入るところがなく自由に飛び回る為接合部は低い抵抗となり、ｎ型半導体の抵抗が一番高くオームの法則に従う事となる。

※5：フェルミ順位

フェルミ準位（フェルミじゅんい、Fermi level ）とはフェルミ・ディラック分布のパラメータあるいはフェルミ粒子系の化学ポテンシャルの事であり、与えられた温度条件下において、フェルミ粒子(電子)の存在確率が1/2になるエネルギーの値の事。また、絶対零度でのフェルミ準位の事をフェルミエネルギーと言う。

1.1 SBM1045VSSとは

ショットキーダイオード(SBM1045VSS)の特徴として、順方向電圧降下(VF)が低く、その為低電力損失・低発熱・高効率運転が可能です。

図2の通り極性としてはグレーのカラーバンドが有る方がカソードである事を示します。※重量：1.142g

図2：ショットキーダイオード「SBM1045VSS」の寸法及び極性

1.2 仕様

ショットキーダイオード(SBM1045VSS)の仕様は表1の通りです。

表1：ショットキーダイオード(SBM1045VSS)の仕様
項目	内容
最大繰返し逆電圧(VRPM)	45V
最大実効電圧(VRMS)	32V
最大直流阻止電圧(VR)	45V
最大整流電流(IF)	10A
最大突入電流(IFSM)	200A(8.3ms半波正弦波)
動作・保存温度(TJ・TSTG)	-55～150℃
25℃時の順方向電流(IF=3A)	順方向電圧(VF=0.34V)
25℃時の順方向電流(IF=5A)	順方向電圧(VF=0.37V)
25℃時の順方向電流(IF=10A)	順方向電圧(VF=0.44～47V)